- бизнес-книги
- детские книги
- дом, дача
- зарубежная литература
-
знания и навыки
- изучение языков
- компьютерная литература
- научно-популярная литература
- словари, справочники
-
учебная и научная литература
- безопасность жизнедеятельности
- военное дело
- гуманитарные и общественные науки
- естественные науки
- задачники
- монографии
- научные труды
- практикумы
- прочая образовательная литература
- сельское и лесное хозяйство
-
технические науки
- высокие технологии
- горное дело
- информатика и вычислительная техника
- конструкции
- легкая промышленность
- материаловедение
- машиностроение
- нормативная документация
- общетехнические дисциплины
- основы производства
- пищевая промышленность
- приборостроение
- проектирование
- промышленность
- радиоэлектроника
- строительство
- техническая литература
- технологии металлов
- транспорт
- химическая технология
- эксплуатация промышленного оборудования
- энергетика
- учебники и пособия для вузов
- учебники и пособия для ссузов
- учебно-методические пособия
- история
- комиксы и манга
- легкое чтение
- психология, мотивация
- публицистика и периодические издания
- родителям
- серьезное чтение
- спорт, здоровье, красота
- хобби, досуг
Steven Voldman H. — ESD
Купить и скачать за 20409.92 ₽
Понравилась книга? Поделись в соцсетях:
Автор: Steven Voldman H.
Издатель: John Wiley & Sons Limited
ISBN: 9780470012901
Описание: This volume is the first in a series of three books addressing Electrostatic Discharge (ESD) physics, devices, circuits and design across the full range of integrated circuit technologies. ESD Physics and Devices provides a concise treatment of the ESD phenomenon and the physics of devices operating under ESD conditions. Voldman presents an accessible introduction to the field for engineers and researchers requiring a solid grounding in this important area. The book contains advanced CMOS, Silicon On Insulator, Silicon Germanium, and Silicon Germanium Carbon. In addition it also addresses ESD in advanced CMOS with discussions on shallow trench isolation (STI), Copper and Low K materials. Provides a clear understanding of ESD device physics and the fundamentals of ESD phenomena. Analyses the behaviour of semiconductor devices under ESD conditions. Addresses the growing awareness of the problems resulting from ESD phenomena in advanced integrated circuits. Covers ESD testing, failure criteria and scaling theory for CMOS, SOI (silicon on insulator), BiCMOS and BiCMOS SiGe (Silicon Germanium) technologies for the first time. Discusses the design and development implications of ESD in semiconductor technologies. An invaluable reference for EMC non-specialist engineers and researchers working in the fields of IC and transistor design. Also, suitable for researchers and advanced students in the fields of device/circuit modelling and semiconductor reliability.