- бизнес-книги
- детские книги
- дом, дача
- зарубежная литература
-
знания и навыки
- изучение языков
- компьютерная литература
- научно-популярная литература
- словари, справочники
-
учебная и научная литература
- безопасность жизнедеятельности
- военное дело
- гуманитарные и общественные науки
- естественные науки
- задачники
- монографии
- научные труды
- практикумы
- прочая образовательная литература
- сельское и лесное хозяйство
-
технические науки
- высокие технологии
- горное дело
- информатика и вычислительная техника
- конструкции
- легкая промышленность
- материаловедение
- машиностроение
- нормативная документация
- общетехнические дисциплины
- основы производства
- пищевая промышленность
- приборостроение
- проектирование
- промышленность
- радиоэлектроника
- строительство
- техническая литература
- технологии металлов
- транспорт
- химическая технология
- эксплуатация промышленного оборудования
- энергетика
- учебники и пособия для вузов
- учебники и пособия для ссузов
- учебно-методические пособия
- история
- комиксы и манга
- легкое чтение
- психология, мотивация
- публицистика и периодические издания
- родителям
- серьезное чтение
- спорт, здоровье, красота
- хобби, досуг
Группа авторов — Wide Band Gap Semiconductor Nanowires 2
Купить и скачать за 17673.88 ₽
Понравилась книга? Поделись в соцсетях:
Автор: Группа авторов
Издатель: John Wiley & Sons Limited
ISBN: 9781118984277
Описание: This book, the second of two volumes, describes heterostructures and optoelectronic devices made from GaN and ZnO nanowires. Over the last decade, the number of publications on GaN and ZnO nanowires has grown exponentially, in particular for their potential optical applications in LEDs, lasers, UV detectors or solar cells. So far, such applications are still in their infancy, which we analyze as being mostly due to a lack of understanding and control of the growth of nanowires and related heterostructures. Furthermore, dealing with two different but related semiconductors such as ZnO and GaN, but also with different chemical and physical synthesis methods, will bring valuable comparisons in order to gain a general approach for the growth of wide band gap nanowires applied to optical devices