- бизнес-книги
- детские книги
- дом, дача
- зарубежная литература
-
знания и навыки
- изучение языков
- компьютерная литература
- научно-популярная литература
- словари, справочники
-
учебная и научная литература
- безопасность жизнедеятельности
- военное дело
- гуманитарные и общественные науки
- естественные науки
- задачники
- монографии
- научные труды
- практикумы
- прочая образовательная литература
- сельское и лесное хозяйство
-
технические науки
- высокие технологии
- горное дело
- информатика и вычислительная техника
- конструкции
- легкая промышленность
- материаловедение
- машиностроение
- нормативная документация
- общетехнические дисциплины
- основы производства
- пищевая промышленность
- приборостроение
- проектирование
- промышленность
- радиоэлектроника
- строительство
- техническая литература
- технологии металлов
- транспорт
- химическая технология
- эксплуатация промышленного оборудования
- энергетика
- учебники и пособия для вузов
- учебники и пособия для ссузов
- учебно-методические пособия
- история
- комиксы и манга
- легкое чтение
- психология, мотивация
- публицистика и периодические издания
- родителям
- серьезное чтение
- спорт, здоровье, красота
- хобби, досуг
Группа авторов — Ferroelectric Dielectrics Integrated on Silicon
Купить и скачать за 24387.69 ₽
Понравилась книга? Поделись в соцсетях:
Автор: Группа авторов
Издатель: John Wiley & Sons Limited
ISBN: 9781118602768
Описание: This book describes up-to-date technology applied to high-K materials for More Than Moore applications, i.e. microsystems applied to microelectronics core technologies. After detailing the basic thermodynamic theory applied to high-K dielectrics thin films including extrinsic effects, this book emphasizes the specificity of thin films. Deposition and patterning technologies are then presented. A whole chapter is dedicated to the major role played in the field by X-Ray Diffraction characterization, and other characterization techniques are also described such as Radio frequency characterization. An in-depth study of the influence of leakage currents is performed together with reliability discussion. Three applicative chapters cover integrated capacitors, variables capacitors and ferroelectric memories. The final chapter deals with a reasonably new research field, multiferroic thin films.