- бизнес-книги
- детские книги
- дом, дача
- зарубежная литература
-
знания и навыки
- изучение языков
- компьютерная литература
- научно-популярная литература
- словари, справочники
-
учебная и научная литература
- безопасность жизнедеятельности
- военное дело
- гуманитарные и общественные науки
- естественные науки
- задачники
- монографии
- научные труды
- практикумы
- прочая образовательная литература
- сельское и лесное хозяйство
-
технические науки
- высокие технологии
- горное дело
- информатика и вычислительная техника
- конструкции
- легкая промышленность
- материаловедение
- машиностроение
- нормативная документация
- общетехнические дисциплины
- основы производства
- пищевая промышленность
- приборостроение
- проектирование
- промышленность
- радиоэлектроника
- строительство
- техническая литература
- технологии металлов
- транспорт
- химическая технология
- эксплуатация промышленного оборудования
- энергетика
- учебники и пособия для вузов
- учебники и пособия для ссузов
- учебно-методические пособия
- история
- комиксы и манга
- легкое чтение
- психология, мотивация
- публицистика и периодические издания
- родителям
- серьезное чтение
- спорт, здоровье, красота
- хобби, досуг
Alain Claverie — Transmission Electron Microscopy in Micro-nanoelectronics
Купить и скачать за 18548.68 ₽
Понравилась книга? Поделись в соцсетях:
Автор: Alain Claverie
Издатель: John Wiley & Sons Limited
ISBN: 9781118579039
Описание: Today, the availability of bright and highly coherent electron sources and sensitive detectors has radically changed the type and quality of the information which can be obtained by transmission electron microscopy (TEM). TEMs are now present in large numbers not only in academia, but also in industrial research centers and fabs. This book presents in a simple and practical way the new quantitative techniques based on TEM which have recently been invented or developed to address most of the main challenging issues scientists and process engineers have to face to develop or optimize semiconductor layers and devices. Several of these techniques are based on electron holography; others take advantage of the possibility of focusing intense beams within nanoprobes. Strain measurements and mappings, dopant activation and segregation, interfacial reactions at the nanoscale, defect identification and specimen preparation by FIB are among the topics presented in this book. After a brief presentation of the underlying theory, each technique is illustrated through examples from the lab or fab.