- бизнес-книги
- детские книги
- дом, дача
- зарубежная литература
-
знания и навыки
- изучение языков
- компьютерная литература
- научно-популярная литература
- словари, справочники
-
учебная и научная литература
- безопасность жизнедеятельности
- военное дело
- гуманитарные и общественные науки
- естественные науки
- задачники
- монографии
- научные труды
- практикумы
- прочая образовательная литература
- сельское и лесное хозяйство
- технические науки
- учебники и пособия для вузов
- учебники и пособия для ссузов
- учебно-методические пособия
- история
- комиксы и манга
- легкое чтение
- психология, мотивация
- публицистика и периодические издания
- родителям
- серьезное чтение
- спорт, здоровье, красота
- хобби, досуг
В. М. Стожаров — Физика рентгеновского излучения. Учебное пособие для вузов

Понравилась книга? Поделись в соцсетях:
Автор: В. М. Стожаров
Издатель: Издательство ЛАНЬ
Год: 2023
ISBN: 978-5-507-47076-1
Описание: В первой главе рассмотрены принципы рентгеноструктурного анализа и связанные с ними некоторые вопросы кристаллографии. Во второй главе изложены теоретические принципы элементного анализа многокомпонентных веществ, примененные к анализу природных алюмосиликатов (глин) и диоксида титана. Показано, что метод элементного анализа в пределах десятых долей процента не зависит от полиморфизма исследуемого материала. В третьей главе рассмотрено явление полного внешнего отражения (ПВО) рентгеновских лучей от металлов и показано, что метод ПВО имеет чисто поверхностный характер и в сочетании с рентгеновской дифракцией установлен закон обратной зависимости показателя преломления рентгеновских лучей от межплоскостного расстояния. В следующей главе рассмотрено определение в твердых телах плазменных колебаний, возбужденных рентгеновскими лучами. Показана возможность измерения энергии плазмонов, концентрации плазменных локализованных электронов и энергии Ферми в металлах. Существенное расширение возможностей определения плазмонов методом ПВО обеспечил метод исследования дисперсии плазмонов в твердых телах. Показано, что этот метод позволяет определять внутренние механические напряжения и поляризацию в поверхностных слоях аморфных и кристаллических диэлектриков и полупроводников толщиной несколько нанометров.