- Бизнес-Книги
- Боевики
- Детективы
- Детские книги
- Дом, Семья
- Зарубежная литература
- Искусство
- Классика
- Книги по психологии
- Компьютеры
- Любовные романы
- Наука, Образование
- Периодические издания
- Повести, рассказы
- Поэзия, Драматургия
- Приключения
- Публицистика
- Религия
- Современная проза
- Справочники
- Фантастика
- Фэнтези
- Юмор
Алексей Ковалев — Транзисторы на основе полупроводниковых гетероструктур
Понравилась книга? Поделись в соцсетях:
Автор: Алексей Ковалев
Издатель: МИСиС
Год: 2011
Описание: Рассмотрены физические принципы работы наиболее распространенных приборов полупроводниковой электроники – биполярных и полевых транзисторов – в их современном модернизированном исполнении на основе гетероструктурных композиций. На их примере дан анализ нового направления электроники – гетероструктурной наноэлектроники. Это часть более масштабного направления, называемого нанотехнологией, и охватывает она разработку полупроводниковых приборов и устройств субмикронных размеров. Приведены примеры реализации транзисторов на основе гетеросистем из материалов Ge/Si и AIIIBV. Установлены зависимости между размерами активных областей, составом материала и параметрами прибора. Выполнено сравнение и оценка возможностей материалов и приборов на их основе. Рассмотрены механизмы формирования и условия получения гетероэпитаксиальных структур с квантовыми точками в системах Ge/Si и InAs/GaAs с учетом элементов самоорганизации при эпитаксии. Интерес к самоупорядоченным наноструктурам обусловлен созданием нанотранзисторов, а также фотоприемников и источников излучения в диапазоне длин волн 1,3…1,5 мкм.